SJ 50033.83-1995 半导体分立器件.CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范
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ID： |
AD72949353AC4C7DAAC5FB7CFC0BBA00 |
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0.44 |
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12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/83-1995,半导体分立器件,CS139型硅P沟道MOS增强型场,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS139 silicon P-channel,MOS enhancement mode field-effect transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS139型硅P沟道M0S增强型场,效应晶体管详细规范,SJ 50033/83-1995,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS139 silicon P-channel,MOS enhancement mode field*effect transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管（以下筒称器件）的详细要,求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采胸,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按gjb 33《半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,中华人民共和国电子工业部!995-05-25发布1995-12-0I 宴施,SJ 50033/83-1995,引出端材料应为可伐或其他合金。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸福。对引出端材,料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中戒明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用硅P沟道MOS增强型结构,3,2,3外形尺寸,外形尺寸按GB 7581的A4-01B型及如下规定,见图1,引出端极性:,2 .栅极,3 .源极,4 .衬底,—2 -,下载,SJ 50033/83-1995,mm,符号、、尺寸,A4~01B,最 小标 称最 大,A 4,32 — 5.33,如— 2.54 —,如一— 1.01,站2 0.407 一0.508,和5.31 — 「エ84,杠H 4.53 — 4.95,i 0.92 1.04 1.16,k 0.51 一1.21,L 12.5 — 25.0,LI 一— 1.27,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,吧,1\ =251,(mW),Id,(mA),Vds,(V),VCD,(V),VGS,(V) (V),Vgb,(V) (V),方和ル,(t),100 15 -15 ±20 ±20 -20 ±20 -20 -55- +150,注［ 1) アム＞25七,按0.811I亚，七的速率线性降额,3.3.2主要电特性(7\ 二25七),参 数极 限 值,符 号(单位) 测试条件最小值最大值,V0Kmi (V) ジ加工一 10V,fD = lO^tA,=0V,-2 -6,1 Yf. 1 (因) - 10V,I'd = 3 mA,/ = lkHz,Vsb-OV,500,プ网8)1 (kn) Vus = - 10V,ID = 1mA,Vsb =0V,3,3,SJ 50033/83-1995,续表,参数极限 值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,rDS(off) (0) Vos = - 10V,Vgs =0V,Vsb=OV,107 —,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,3.6 静电放电保护,本规范适用的各种器件宥静电保护的要求（见6.4）。当下述步骤证实时,在B组和C组,静电放电（ESD）失效的器件不作为整批失效计数,ESD失效电特性:,a.棚一源本体或漏短路（主失效模式）,^ ^DS（cn） 大于40000（副失效模式）,c. I Yt, I低于50バ（副失效模式）,出 Vgs（而下漂（副失效模式）,ESD目检特性证实:,a.栅极边缘上小而暗的短路痕迹,b.在扫描电子显微镰（SEM）下观察放电和糖氧化层,在某分组给定的步骤中,若多于两个失效呈现ESD失效判据,那末,需要另外作深入的失,效分析,以验证有缺陷的氧化层不引起该种失效,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,筛 选,(见 GJB 33 表 2),测 试 或 试 脸,3热冲击低温应为ー55七,高温应为+ 150じ,5密封不要求,6高温反偏Ta * 125じ.Vgs = 16V, y/=0V,■ ■ I 4 '',&J 50033/83-1995,续表,W 选,（见 GJB 33 表 2）,测 试 或 试 验’,7中间测试Vasfm'rtMaOi、1色洲1 ；,（阈1 ……
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